P+F光电传感器ML100-8-W-200-RT/102/115货期稳

P+F光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类：（1 ）在光线作用下能使电子溢出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏应，如光电池等。

光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。

倍加福光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时,物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类:外光电效应、内光电效应及光生伏应。对射型光电传感器发射器与接收器位于独立的两个壳体中。发射器发送的光直接被接收器接收。如果物体遮住了光束,开关功能触发。对射型光电传感器常用于远距离检测,稳定性好,能量强。

P+F光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为：发送器、接收器和检测电路。

发送器对准目标发射光束，发射的光束一般来源于半导体光源，发光二极管(LED)、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射，或者改变脉冲宽度。接收器有光电二极管、光电三极管、光电池组成。在接收器的前面，装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路，它能滤出有效信号和应用该信号。

P+F倍加福栅KFD2-UFC-1.D

P+F倍加福栅KFD2-ER-1.W.LB

P+F倍加福栅KFD2-ER-1.6

P+F倍加福栅KFD2-SCD-EX1.LK

P+F倍加福栅KFD2-CRG2-EX1.D

P+F倍加福栅KFD2-CRG2-1.D

P+F倍加福隔离珊KFD2-SCT4-1.20 ：2300.00

P+F倍加福隔离珊KFD2-EB2 ：700.00

P+F倍加福栅KFD2-DWB-1.D

P+F倍加福栅KFD2-SCT4-EX1

P+F倍加福栅KFD2-SCT4-EX1.20：1800.00

P+F倍加福栅KFD2-SR2-EX2.W

P+F倍加福栅KFD2-SRA-EX4 ：2400.00

P+F倍加福栅KFD2-UFC-EX1.D ：2800.00

P+F倍加福栅KFD2-EB2.R4A.B

P+F倍加福栅KFD2-SCD-EX1.LK

P+F倍加福栅KFD2-CD-EX1.32

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