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传感器BES 516-325-E4-C-02使用说明
更新时间:2023-12-26   点击次数:150次

传感器BES 516-325-E4-C-02使用说明

德国巴鲁夫BALLUFF位移传感器的工作原理:位移是和物体的方位在运动过程中的移动有关的量位移的测量办法所触及的规模是相当广泛的。小位移通常用应变式、电感式、差动变压器式、涡流式、霍尔传感器来检测,大的位移常用感应同步器、光栅、容栅、磁栅等传感技能来测量。其中光栅传感器因具有易完成数字化、精度高抗干扰能力强、没有人为读数差错、装置便当、运用可靠等利益,在机床加工、检测仪表等行业中得到日益广泛的应用。

       由光通量对光电元件的作用原理不同所制成的光学测控系统是多种多样的,按光电元件(光学测控系统)输出量性质可分二类,即模拟式光电传感器和脉冲(开关)式光电传感器。模拟式光电传感器是将被测量转换成连续变化的光电流,它与被测量间呈单值关系.模拟式光电传感器按被测量(检测目标物体)方法可分为透射(吸收)式,漫反射式,遮光式(光束阻档)三大类。所谓透射式是指被测物体放在光路中,恒光源发出的光能量穿过被测物,部份被吸收后,透射光投射到光电元件上;所谓漫反射式是指恒光源发出的光投射到被测物上,再从被测物体表面反射后投射到光电元件上;所谓遮光式是指当光源发出的光通量经被测物光遮其中一部份,使投射到光电元件上的光通量改变,改变的程度与被测物体在光路位置有关。

光敏二极管是常见的光传感器。光敏二极管的外型与一般二极管一样,当无光照时,它与普通二极管一样,反向电流很小,称为光敏二极管的暗电流;当有光照时,载流子被激发,产生电子-空穴,称为光电载流子。在外电场的作用下,光电载流子参与导电,形成比暗电流大得多的反向电流,该反向电流称为光电流。光电流的大小与光照强度成正比,于是在负载电阻上就能得到随光照强度变化而变化的电信号。

光敏三极管除了具有光敏二极管能将光信号转换成电信号的功能外,还有对电信号放大的功能。光敏三级管的外型与一般三极管相差不大,一般光敏三极管只引出两个极——发射极和集电极,基极不引出,管壳同样开窗口,以便光线射入。为增大光照,基区面积做得很大,发射区较小,入射光主要被基区吸收。工作时集电结反偏,发射结正偏。在无光照时管子流过的电流为暗电流Iceo=(1+β)Icbo(很小),比一般三极管的穿透电流还小;当有光照时,激发大量的电子-空穴对,使得基极产生的电流Ib增大,此刻流过管子的电流称为光电流,发射极电流Ie=(1+β)Ib,可见光电三极管要比光电二极管具有更高的灵敏度。

电气部分技术参数:

(1)工作电压:10~30VDC;

(2)开关频率:3500赫兹;

(3)测量工作电压:24V;

(4)测量工作电流:200毫安;

(5)测量绝缘电压:AC250V;

(6)测量短路电流:100A;

(7)防护等级:IP68。

4、接近开关 材质:

(1)外壳材质:黄铜, 不含镍涂层;

(2)感应面材料:PBT。

5、输出/接口:NPN开关量NO常开输出。

BES 516-325-S 4-C  
BES 516-356-E5-C-S 4
BES 516-356-S4-C 
BES M08EC-PSC15B-S49G
BES M08EH1-PSC60F-S49G 
BES M08EH-PSC40F-S49G
BES M08MH1-PSC20B-S04G
BES M08MI-PSC15B-S49G 
BES M08MI-PSC20B-S49G 
BES M08MI-PSC30B-S49G  
BES M08MI-PSC40B-S49G  
BES M12EG-PSC80F-S04G
BES M12M1-PSH80B-S04G
BES M12M1-PSH80B-S04G
BES M12MI-PSC40B-S04G 
BES M18ME1-PSC20F-S04G  
BES M18MG-UOC70B-BV02
BES516-3005-G-E5-C-S49    
BES-M08MI-PSC40B-BP00,3-GS49

BES M08MG-GSC20B-BV02

BES M12MC1-PSC10F-S04G

BES M18MG-USC70B-BV03

BES Q40KFU-PAC30F-S04G

BES M18ME-PSC50B-S04G-003

BES 516-325-E4-C-S4-00,5

BES M08EH-PSC40F-S49G

BES M08EE-PSC15B-S04G-003

BES M08MG-USC20B-BV02

BES 516-3005-G-E4-C-S4-00,2

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